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        半導體光電

        半導體光電雜志

        北大核心期刊 統計源期刊

        Semiconductor Optoelectronics

        主管單位:信息產業部
        主辦單位:中國電子科技集團第四十四研究所
        國際刊號:1001-5868
        國內刊號:50-1092/TN
        審稿時間:1個月內
        復合影響因子:0.253
        創刊:1976
        類別:電子期刊
        周期:雙月刊
        發行:重慶
        語言:中文
        綜合影響因子:0.396
        曾用名:
        出版社:公司類
        郵編:400060
        主編:劉俊剛
        郵發:
        期刊收錄:
        北大核心期刊, 統計源核心, 知網收錄, 維普收錄, 萬方收錄, CA化學文摘(美), SA科學文摘(英), JST收錄(日), 國家圖書館館藏, 上海圖書館館藏, 文摘與引文數據庫
        期刊榮譽:
        中國核心期刊遴選數據庫, 中國期刊全文數據庫(CJFD)
        主要欄目:
        動態綜述、光電器件、材料、結構及工藝、光通信、光電技術應用
        半導體光電雜志社簡介
        半導體光電雜志簡介

        《半導體光電》(雙月刊)創刊于1976年,由中國電子科技集團公司第四十四研究所(重慶光電技術研究所)主辦。專業技術性刊物。刊載半導體光電器件、光通信系統和光傳輸、光存貯、光計算、處理技術,以及攝像、傳感、遙感等方面的研究成果、學術論文、學位論文和工作報告,介紹光學、光子學、量子電子學、光電子學領域的新材料、新結構、新工藝、新器件,報道國內外該領域的研究和發展方向。讀者對象為半導體光電專業的科技人員和大專院校師生。榮獲重慶市首屆十佳期刊稱號,1999年;信息產業部1999-2000年度優秀電子期刊稱號、信息產業部優秀電子期刊、重慶市優秀期刊。

        半導體光電雜志欄目設置
        動態綜述、光電器件、材料、結構及工藝、光通信、光電技術應用
        半導體光電雜志社征稿要求

        (1)來稿文責自負。文稿務必主題明確,論述合理,邏輯嚴謹,數據可靠,敘述清楚,文字精煉。內容應保守國家秘密,引用他人作品應給出來源。

        (2)文稿一般不超過6000字,綜述稿不超過8000字,其他類型的稿件酌減。屬于綜述、研究論文和技術報告的稿件,應附英文題名、作者名、單位名、摘要和關鍵詞。基金項目應注明編號。

        (3)摘要應包括目的、方法、結果和結論四個要素,也就是用簡潔的語言說明文章要解決的問題,主要工作過程及所采用的技術手段和方法,研究所獲得的實驗數據、結果及其意義。篇幅以200~250字為宜。

        (4)關鍵詞以5~8個為宜。為便于文獻檢索,應盡可能提供中圖分類號。

        (5)文中涉及的物理量和計量單位應符合國家有關標準。計量單位請用GB3100-3102-93《量和單位》規定的法定計量單位。注意區分各物理量符號的文種、大、小寫、正、斜體(矢量和矩陣用黑斜體)、上、下角標等。

        (6)插圖和表格應有圖題和表題。插圖應采用計算機制作,勿用截圖。本刊為黑白印刷,請勿用彩色插圖。

        (7)文稿中引用他人的成果,務請寫明原作者姓名、題名、來源,一并在參考文獻中給出,并在正文中相應位置進行標示,否則責任由來稿人自負。參考文獻只擇主要的。文獻的著錄格式嚴格按照以下形式書寫(含標點符號):

        1)專著:作者.書名.版本(第1版不著錄)[M].出版地:出版者,出版年.起止頁碼.

        2)譯著:作者.書名[M].譯者,譯.出版地:出版者,出版年:起止頁碼.

        3)期刊:作者.題名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止頁碼.

        4)會議論文集:作者.題名[C]//編者.論文集名.出版地:出版者,出版年:起止頁碼.

        5)學位論文:作者.題名:[學位論文][D].保存地:保存者,年份.

        6)專利文獻:專利申請者.題名.專利國別,專利號[P].公告日期或公開日期.

        7)標準:責任者.標準代號標準名稱[S].出版地:出版者,出版年.

        8)電子文獻標注格式:主要責任者.題名:其它題名信息[文獻類型標志/文獻載體標志].出版地:出版者,出版年(更新或修改日期)[引用日期].獲取和訪問路徑.


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